内存新产能十年无望!三巨头扩产全是空炮
据美国银行最新分析报告,韩国总统李在明高调宣布的“2030年产能翻倍”目标面临着严峻的现实考验。6月底,李在明宣布了一项规模高达800兆韩元的大型投资计划,要在韩国西南沿海的光州、全罗地带打造“存储新聚落”,目标是在2030年让三星与SK海力士的DRAM晶圆产能翻倍。三星与SK海力士合计掌握全球过半DRAM市占率,在HBM领域更超过八成,美光7月初也宣布斥资93亿美元在日本扩产HBM,预计两年后出货。消息一出,市场担忧供过于求导致价格崩跌,全球存储类股应声暴跌,美光单周下跌15%,铠侠跌去一成,闪迪市值蒸发近两成。然而美国银行在最新报告中指出,要评估韩国存储芯片供给能否实质增加仍为时过早,2030年产能翻倍听起来惊人,但拉长时间轴来看仅代表每年约15%的年复合增长率。扣除旧厂因技术升级关闭以及制程微缩导致的产能