三星电子拟推新1GB移动DRAM 速度可达12.8GB/s

韩国三星电子（Samsung Electronics Co., Ltd.）2月21日宣布，这家先进内存技术领域的全球龙头企业正在开发装有宽I/O接口的1GB移动DRAM（dynamic random access memory），将使用50纳米级工艺技术。新的宽I/O移动DRAM将被用于移动应用设备，诸如智能手机和平板电脑。

三星电子高级副总裁、存储产品规划与应用工程师Byungse So表示，“继2010年开发出4GB的LPDDR2 DRAM（低功耗DDR2 DRAM）后，装有I/O接口的新款移动DRAM解决方案将为高性能移动产品的进步做出重要贡献。”他表示，“我们将继续积极拓展高性能移动存储产品阵容，以进一步推进移动产业的成长。”

全新的1GB宽I/O移动DRAM数据传输速度可达12.8GB/秒，相当于移动DDR DRAM带宽（1.6GB/秒）的八倍，LPDDR2 DRAM贷款（约达3.2GB/秒）的四倍，同时将减少大约87%的功耗。

为了提高数据传输，三星的宽I/O DRAM使用了512根引脚进行数据输入和输出，相比之下，早期的移动DRAM采用了最多32根引脚。如果计入发送指令和调节电源的引脚，则单一三星宽I/O DRAM计划将配有大约1,200根引脚。

推出这一宽I/O DRAM之后，三星电子计划在2013年内推出20纳米级4GB宽I/O移动DRAM。该公司最近在移动DRAM领域取得的成就包括在2009年推出首个 50纳米级LPDDR2 1GB DRAM，以及在2010年推出首个40纳米级 2GB LPDDR2 DRAM。

三星将在2011的ISSCC (International Solid-State Circuits Conference）会议上呈现一份有关广泛I/O DRAM技术的文件，此次大会将于从2月20日至24日在旧金山举行。

根据iSuppli，到2014年，移动DRAM占年度DRAM总出货量的比例将从2010年的11.1%增加至约16.5%。