三星第二代3nm GAA工艺将于2024年量产

前一段时间，三星在京畿道华城工厂V1生产线，举行了采用下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术的3nm代工产品发货仪式。三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。

虽然三星信心满满，但事实上目前3nm GAA工艺缺乏客户，更重要的是，平时热衷采用新工艺的移动SoC暂时都没有选用。有消息指出，三星可能会使用3nm工艺制造Exynos 2300，或用于明年的Galaxy S23系列，不过有报道称由于表现不达预期，Galaxy S23系列可能全部采用高通的解决方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能采用三星3nm工艺，将用于Pixel 8系列，但目前还没有消息。

近年来三星的其中一个大客户高通，由于4nm/5nm的良品率和能效问题，在新一代旗舰SoC上已转投台积电（TSMC），对三星造成了相当大的打击。据Wccftech报道，高通对三星第一代3nm GAA工艺兴趣不大，不过有留意其进展情况，随时进行评估，到第二代3nm GAA工艺可能会参与进来。

据了解，三星第二代3nm GAA工艺将会在2024年量产。三星表示，第二代3nm GAA工艺将加入MBCFET架构，使得3nm芯片的面积减少35%、性能提高30%、功耗降低50%，如果良品率也能跟上，这样的提升或许会让高通满意。